在电子元器件行业中，性能相类似的产品常被人们用于比较，如贴片高压电容与高压高容量贴片；合金电阻与贴片电阻等的对比，下面主要给大家分析下MOS管与三极管谁更能引领潮流。

       在争论谁能引领潮流之前，我们要先认识和区分MOS管和三极管。MOS管是单极，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子。

        三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

        我们进一步分析两者在解决问题方面的区别：场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻。而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错;总体而言,MOS管的分析要比三极管简单一些。

        三极管和MOS管的比较可以归纳以下几点:　　

        一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而MOS管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适.这也就是我们通常所说的MOS管比较稳定的原因.　

        二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω.　

        三、MOS管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活.三极管的集电极和发射极一般不能互换使用.　

        四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关.　

        五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成。三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定。在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势。　

        六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,MOS管的转移特性按平方规律变化,因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大。

        七、MOS管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于场效应管的栅极无电流,所以输入电阻R'i≈∞.跨导gm比三极管的小一个数量级,gm我们可以用转移特性求导得到。三极管可以说是电流控制电流源的器件,而电流是通过输入电阻的大小来体现的;但MOS管是电压控制电流源的器件.

MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

        一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。